MOSFET

用于各種應(yīng)用的廣泛的低、中、高壓和雙MOSFET產(chǎn)品組合。

功率模塊
先進(jìn)的電源模塊, 包括 IGBT, MOSFET, SiC, Si/SiC 混合模塊, 二極管, SiC 二極管, 和智能功率模塊 (IPM).

碳化硅 (SiC)
支持寬禁帶電源設(shè)計(jì)的完整元器件生態(tài)系統(tǒng)，包括SiC二極管、SiC MOSFET和SiC模塊。

保護(hù)MOSFET
各種低側(cè)和高側(cè)智能分立保護(hù)器件，提供同類最佳的浪涌電流管理。

整流器
標(biāo)準(zhǔn)和快恢復(fù)整流器，提供低功率損耗和高能效的理想性能特性。

肖特基二極管和肖特基整流器
低損耗和高電流肖特基整流器和二極管，非常適合用作整流器、逆變器和二極管。

音頻晶體管
用于高功率音頻電路應(yīng)用的音頻晶體管。

達(dá)林頓晶體管
用于通用放大器和低速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的達(dá)林頓晶體管和晶體管對(duì)。

ESD保護(hù)二極管
專門設(shè)計(jì)用于提供 ESD 和浪涌保護(hù)的保護(hù)二極管和陣列。

通用的低VCE(sat)晶體管
寬廣陣容的雙極 NPN、PNP 和互補(bǔ)晶體管，包括低 VCE(sat) 晶體管。

數(shù)字晶體管(BRT)
集成偏置功能的偏置電阻晶體管（BRT），用于取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。

JFET
用于低噪聲放大器和阻抗轉(zhuǎn)換、模擬開(kāi)關(guān)和斬波器應(yīng)用的N溝道、P溝道和NPN極性JFET。

小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管
高速、小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管產(chǎn)品陣容，適用于不同應(yīng)用的一般用途。

齊納二極管
專為穩(wěn)壓電路設(shè)計(jì)，提供廣泛的工作電壓和額定功率。

RF晶體管
專為高頻和通用放大器應(yīng)用而設(shè)計(jì)的射頻晶體管。

RF二極管
用于高頻應(yīng)用的射頻二極管組合，包括PIN二極管、肖特基勢(shì)壘二極管和可變電容。

毫米波集成電路（雷達(dá))
單片微波集成電路（MMIC）射頻放大器和混頻器，提供平穩(wěn)和高增益特性。

IGBT
絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在高性能電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中提供最高可靠性。