門極驅(qū)動(dòng)器

高性能氮化鎵(GaN)、IGBT、MOSFET、電隔離、光隔離和SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器，是高功率應(yīng)用的理想選擇。這些驅(qū)動(dòng)器是為實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)能效、高可靠性、短傳播延遲等而設(shè)計(jì)的。這些門極驅(qū)動(dòng)器的理想性能特征使其能夠滿足汽車、工業(yè)、云電源和計(jì)算應(yīng)用的要求。IGBT驅(qū)動(dòng)器；為在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)能效和可靠性而設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器。MOSFET驅(qū)動(dòng)器：設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)低邊開(kāi)關(guān)應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)器，在短的開(kāi)關(guān)間隔期間提供高峰值電流脈沖。電隔離式驅(qū)動(dòng)器：高性能驅(qū)動(dòng)器用于高功率汽車應(yīng)用，包括PTC加熱器、主驅(qū)逆變器、高壓DC-DC和其他輔助子系統(tǒng)。GaN驅(qū)動(dòng)器：高速驅(qū)動(dòng)器專為滿足在離線和半橋電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)型和門極注入晶體管(GIT) 氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT) 功率開(kāi)關(guān)的嚴(yán)格要求而設(shè)計(jì)。光耦隔離型驅(qū)動(dòng)器：驅(qū)動(dòng)器適用于電機(jī)控制逆變器應(yīng)用和高性能電源系統(tǒng)中的功率IGBT和MOSFET的快速開(kāi)關(guān)。

AC-DC電源轉(zhuǎn)換

離線AC-DC控制器和穩(wěn)壓器，以及功率因數(shù)和次級(jí)側(cè)控制器，可實(shí)現(xiàn)高有源模式能效、低待機(jī)模式功耗和功率因數(shù)校正。

DC-DC電源轉(zhuǎn)換

用于DC-DC電荷泵、控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器的產(chǎn)品陣容。

保護(hù)功率開(kāi)關(guān)

onsemi提供的受保護(hù)電源開(kāi)關(guān)?過(guò)電流保護(hù)（OCP）?以防止系統(tǒng)損壞。這些器件被定制為最小化導(dǎo)通電阻并提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能，這適合于需要低傳導(dǎo)損耗和易于驅(qū)動(dòng)的低壓高壓側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。onsemi負(fù)載開(kāi)關(guān)的應(yīng)用包括USB充電和無(wú)線充電開(kāi)關(guān)、存儲(chǔ)和外圍設(shè)備、其他有線通信、移動(dòng)手機(jī)和媒體平板電腦、無(wú)線LAN卡和寬帶接入等。該產(chǎn)品組合還包括專門為汽車行業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)和認(rèn)證的AEC-Q101合格和PPAP合格選項(xiàng)。

集成驅(qū)動(dòng)器和MOSFET

將驅(qū)動(dòng)器IC與功率MOSFET相結(jié)合并針對(duì)DC-DC降壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化的器件。

電池管理

用于監(jiān)控電池使用壽命的電池充電控制器、電量計(jì)和管理器件。電池充電控制器：安森美半導(dǎo)體提供電池充電電路用充電控制器和充電管理器件。電池計(jì)量?jī)x：安森美半導(dǎo)體提供監(jiān)測(cè)便攜電子設(shè)備電池壽命的電池電量計(jì)。