KEC開益禧高壓MOSFET

High Voltage MOSFET產(chǎn)品擁有 Planar Process和Super Junior Process。SuperJunction MOSFET具有高電力密度、以Low Qg、Fast Switching的特性，不僅可實(shí)現(xiàn)System的低電力設(shè)計(jì)，還可實(shí)現(xiàn)Low EMI，可便于用戶設(shè)計(jì)。具備可適用于各種電器的豐富產(chǎn)品 Line up和Package。

KEC開益禧低壓MOSFET

Low Voltage MOSFET產(chǎn)品擁有常規(guī)的Trench Process和 Split Gate Trench Process。Split Gate Trench MOSFET不僅Low Qg, Low RDS(on), Fast Switching,Ruggedness特性更是它的優(yōu)點(diǎn)。這種特性不僅支持System的小型化、低損耗設(shè)計(jì)，還支持穩(wěn)定的設(shè)計(jì)。 使用不足200V的多種電壓群和多種 PDFN類的Power SMD Packge，擁有可適用于各種電源、電動(dòng)機(jī)等的多種系列。

KEC開益禧S-MOSFET

擁有Leadless type微型package (1006 size) Line-up的S-MOSFET產(chǎn)品群最適合小型設(shè)計(jì)的智能機(jī)器和家電及電裝用小型模塊，內(nèi)置Zener diode，以高ESD耐量和低RDS(on)支持系統(tǒng)穩(wěn)定性。適用于Level Shift、信號(hào)傳達(dá)、Gate drive等，提供廣發(fā)的包裝系列。