艾賽斯IXYS反向傳導(dǎo)IGBT（BiMOSFET）

BiMOSFET.這類器件將MOSFET與IGBT的優(yōu)勢相結(jié)合，擁有Vce(sat)和Vf的正溫度系數(shù)，并具有低導(dǎo)通損耗，因此是 高頻、高功率密度應(yīng)用的理想解決方案。

艾賽斯IXYS非穿通型（NPT）IGBT

NPT IGBT擁有方形RBSOA和10us的短路耐受能力。這些產(chǎn)品擁有Vce(sat)的正溫度系數(shù)，是并聯(lián)的理想選擇。 它們是電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中的首選。

艾賽斯IXYS穿通型（PT）IGBT

穿通型（PT）IGBT具有高增益、極快速開關(guān)速度和低導(dǎo)通損耗等優(yōu)點。這些產(chǎn)品針對 UPS、離線式開關(guān)電源和電磁爐等高達(dá)100kHz的高速應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

艾賽斯SMPD封裝

SMPD封裝IGBT。表面安裝式功率器件（SMPD）封裝是一種創(chuàng)新的解決方案，可以為多種電力電子應(yīng)用提供大量優(yōu)化設(shè)計的機(jī)會。

艾賽斯IXYS超輕穿通型（XPT?）IGBT

Xtreme light Punch Through（XPT?）是業(yè)界領(lǐng)先的IGBT技術(shù)，可通過多種電壓范圍的產(chǎn)品組合支持低、中和高開關(guān)頻率。

艾賽斯IXYS高功率IGBT

壓力接觸IGBT。我們提供市面上范圍最廣泛的壓力接觸IGBT。 我們高度可靠的產(chǎn)品的額定電壓為1.7kV至6.5kV，額定電流為115A至3kA。