意法碳化硅（SiC）MOSFET

意法半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET具有650 V至1700 V的擴(kuò)展電壓范圍，是最先進(jìn)的技術(shù)平臺(tái)之一，具有出眾的開關(guān)性能和極低的單位面積導(dǎo)通電阻。我們的STPOWER SiC MOSFET的主要特點(diǎn)包括：汽車級(jí)（AG）合格器件；超高溫處理能力（max.TJ = 200 °C）；超高開關(guān)工作頻率和極低開關(guān)損耗；低導(dǎo)通狀態(tài)電阻；柵極驅(qū)動(dòng)可兼容現(xiàn)有IC；穩(wěn)定的超快速本體二極管。

意法碳化硅（SiC）二極管

ST 的碳化硅二極管產(chǎn)品系列電壓范圍從600到1200 V，包括單、雙二極管。 它們有多種封裝，從DPAK到TO-247以及絕緣的TO-220AB/AC，為設(shè)計(jì)者們提供了極大的靈活性，具有高效、穩(wěn)定和快速投放市場(chǎng)等優(yōu)勢(shì)。 相比于硅，碳化硅有優(yōu)越的物理屬性，SiC肖特基整流器具有好于4倍的動(dòng)態(tài)特性和降低15%的前向電壓（VF）。