意法IGBT

意法半導(dǎo)體提供齊全的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）產(chǎn)品組合，電壓范圍300 V至1700 V，采用平面穿通（PT）和溝槽式場截止（TFS）技術(shù)。IGBT屬于STPOWER系列。意法半導(dǎo)體的IGBT在開關(guān)性能和通路狀態(tài)行為（變體）之間實(shí)現(xiàn)了最佳均衡，適用于工業(yè)和汽車領(lǐng)域的應(yīng)用，如通用逆變器、電機(jī)控制、家用電器、HVAC、UPS/SMPS、焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱、太陽能逆變器、牽引逆變器、車載充電器 & 快速充電器。 我們的IGBT可以裸露晶片和封裝為分立元件等形式提供。

意法功率MOSFET

意法半導(dǎo)體的功率MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-100到1700 V）、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。意法半導(dǎo)體面向高壓功率MOSFET（MDmesh?）和低壓功率MOSFET（STripFET）的制程確保增強(qiáng)了功率處理能力，從而實(shí)現(xiàn)了高效解決方案。功率MOSFET屬于STPOWER系列。

12V-30V低壓MOSFET:了解我們的STripFET低壓功率MOSFET—采用先進(jìn)的封裝，具有低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。30V-350V N-通道MOSFET:了解我們的中等電壓STripFET N-溝道功率MOSFET 產(chǎn)品組，提供多種小型和大功率封裝選項(xiàng)。350V-700V超結(jié)MOSFET:了解我們的MDmesh? N-溝道超結(jié)MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)和快速恢復(fù)二極管。700V-1700V高壓和超高壓MOSFET:了解我們的MDmesh?高壓和超高壓功率MOSFET，提高了功率處理能力，支持高效率解決方案。P溝道MOSFET:了解我們的STripFET P-溝道MOSFET，采用超小型封裝，最近又添加了新型溝槽柵器件。

意法功率雙極器件

意法半導(dǎo)體廣泛的功率雙極結(jié)型晶體管（BJT）是您節(jié)能型設(shè)計(jì)的完美選擇。該系列產(chǎn)品包含達(dá)靈頓晶體管和VCES為15V~1700V的BJT。功率雙極屬于STPOWER系列。

意法半導(dǎo)體雙極NPN / PNP晶體管的關(guān)鍵特性：快速開關(guān)時(shí)間和極低的飽和電壓，降低了開關(guān)和導(dǎo)通損耗；集成式二極管，減少了元件數(shù)量；hFE參數(shù)控制完美，從而提高了可靠性；最佳性價(jià)比。

意法寬帶隙晶體管

邁向更節(jié)能世界的下一個(gè)關(guān)鍵步驟是使用新材料，如寬帶隙半導(dǎo)體（WBG），新材料可以提高電源效率、減小產(chǎn)品尺寸和重量、降低系統(tǒng)成本，或同時(shí)實(shí)現(xiàn)所有這些優(yōu)點(diǎn)。意法半導(dǎo)體提供最廣泛的碳化硅（MOSFET）產(chǎn)品和技術(shù)組合，以及氮化鎵基（增強(qiáng)型HEMT）器件，涵蓋裸片、分立器件，以及屬于STPOWER系列的模塊。

GaN廣泛應(yīng)用于各種各樣的現(xiàn)代諧振拓?fù)渲?，幫助設(shè)計(jì)人員獲得比現(xiàn)有技術(shù)高很多的效率。憑借其優(yōu)異的性能，GaN HeMT（高電子遷移率晶體管）將廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車，以及電壓范圍在100 V、650 V和 900 V 之間的工業(yè)、電信和特定消費(fèi)應(yīng)用。