羅姆功率晶體管

羅姆的功率MOSFET和雙極晶體管。額定電壓為600～800V的功率MOSFET通過(guò)采用超級(jí)結(jié)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻的性能，可以降低應(yīng)用的損失。PC、服務(wù)器、充電器、照明等電源應(yīng)用的PFC電路適合使用低噪聲規(guī)格或高速開(kāi)關(guān)規(guī)格的產(chǎn)品。羅姆的雙極晶體管推出了小信號(hào)、薄型、功率封裝等豐富多彩的封裝。能通過(guò)低VCE(sat)實(shí)現(xiàn)低損耗，推出了適合SiC、IGBT、MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路使用的集電極電流較大的功率雙極。

車(chē)載MOSFET：羅姆的車(chē)載MOSFET提供可用于各種應(yīng)用的可高速開(kāi)關(guān)的低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品。而且封裝產(chǎn)品陣容豐富，可以適應(yīng)小型化、大電流化的趨勢(shì)，靈活滿(mǎn)足客戶(hù)的要求。還將通過(guò)開(kāi)發(fā)新工藝結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻、提高開(kāi)關(guān)速度。雙極晶體管：ROHM的晶體管有小信號(hào)、薄型、大功率等類(lèi)型、采用多種封裝形式、可以滿(mǎn)足時(shí)代的需要。數(shù)字晶體管：羅姆開(kāi)發(fā)的數(shù)字晶體管是在數(shù)字電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域中經(jīng)常使用的內(nèi)置電阻型晶體管.羅姆擁有對(duì)應(yīng)市場(chǎng)要求的超小型表面安裝封裝以及省空間。豐富電阻值的多種多樣的產(chǎn)品線。

羅姆功率二極管

從超低IR到超低VF，產(chǎn)品陣容豐富的肖特基勢(shì)壘二極管、提供適用于各種應(yīng)用的VF-trr折中的快速恢復(fù)二極管在內(nèi)，羅姆的功率二極管要憑借無(wú)與倫比的生產(chǎn)能力，滿(mǎn)足市場(chǎng)的要求。包括肖特基二極管；快速恢復(fù)二極管；整流二極管；TVS二極管；齊鈉二極管。

羅姆SiC碳化硅功率器件

與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。此外，SiC讓設(shè)計(jì)人員能夠減少元件的使用，從而進(jìn)一步降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。  SiC元器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗，從而有助于設(shè)計(jì)出能夠減少CO2排放量的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。羅姆在SiC功率元器件和模塊的開(kāi)發(fā)領(lǐng)域處于先進(jìn)地位，這些器件和模塊在許多行業(yè)的應(yīng)用中都實(shí)現(xiàn)了更佳的節(jié)能效果。包括SiC (碳化硅) 肖特基二極管；SiC (碳化硅) MOSFET；SiC (碳化硅) 功率模塊；SiC (碳化硅) 肖特基勢(shì)壘二極管Bare Die；SiC (碳化硅) MOSFET Bare Die。

羅姆GaN功率器件

氮化鎵GaN是一種用于下一代功率器件的化合物半導(dǎo)體材料。由于其優(yōu)于硅器件的性能，如卓越的高頻特性，它開(kāi)始被采用。由于其比硅器件具有更高的開(kāi)關(guān)特性和更低的導(dǎo)通電阻，GaN器件有望有助于降低功耗和各種電源的小型化以及外圍組件的小型化。Rohm成功地將柵極耐受電壓（額定柵極源電壓）提高到業(yè)界領(lǐng)先的8V，使其非常適合用于基站和數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備的電源電路以及物聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備。

羅姆IGBT

ROHM的IGBT絕緣柵雙極晶體管產(chǎn)品為高電壓、大電流廣泛應(yīng)用的高效化和節(jié)能化做出了貢獻(xiàn)。場(chǎng)截止溝槽型IGBT：利用ROHM的溝槽柵、薄晶圓技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低VCE(sat）、低開(kāi)關(guān)損耗的IGBT產(chǎn)品。Ignition IGBT：是兼具低Vce(sat)、高雪崩耐性，適用于車(chē)載點(diǎn)火用途的高可靠性IGBT產(chǎn)品。IGBT Bare Die：GBT/FRD產(chǎn)品有助于眾多高電壓、大電流應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高效率化和節(jié)能化。

羅姆智能功率模塊

ROHM的IPM（Intelligent Power Module）是將適合IGBT器件的驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能一體化封裝的產(chǎn)品。為設(shè)備的高效化、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)略化做出了貢獻(xiàn)。MOS-IPM：ROHM的MOS-IPM是使用自產(chǎn)的PrestoMOS的高效率IPM產(chǎn)品。與IGBT產(chǎn)品相比，可大幅度降低空調(diào)穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的損耗。

IPM損耗模擬器：損耗模擬器是專(zhuān)門(mén)用于ROHM IGBT IPM的功率損耗估計(jì)軟件。損耗模擬器可根據(jù)客戶(hù)應(yīng)用程序任務(wù)概要準(zhǔn)確估計(jì)功率損耗、結(jié)溫和外殼溫度，從而縮短解決方案設(shè)計(jì)，節(jié)省時(shí)間和資源。IGBT-IPM：ROHM的IGBT-IPM可根據(jù)應(yīng)用的開(kāi)關(guān)頻率提供優(yōu)良的產(chǎn)品。