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首頁(yè) 經(jīng)營(yíng)品牌 經(jīng)營(yíng)品牌 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET) 經(jīng)營(yíng)品牌
安世氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

美國(guó)安世半導(dǎo)體Nexperia氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaN FET,無(wú)論是為下一代新能源電動(dòng)車設(shè)計(jì)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)/控制器,還是為5G電信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的電源,安世半導(dǎo)體的GaN FET將是您解決方案的關(guān)鍵。提供高功率性能和高頻開關(guān),我們常態(tài)關(guān)斷的GaN FET產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu),可確保您的設(shè)計(jì)應(yīng)用低成本的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器。

產(chǎn)品詳情


安世氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)應(yīng)用參數(shù)

Type number

Package version

Package name

Product status

Channel type

Nr of transistors

VDS [max] (V)

RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)

RDSon [typ] @ VGS = 10 V (mΩ)

Tj [max] (°C)

ID [max] (A)

ID [max] @ T = 100 °C (A)

IDM [max] (A)

QGD [typ] (nC)

QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)

Ptot [max] (W)

Qr [typ] (nC)

VGSth [typ] (V)

Automotive qualified

Ciss [typ] (pF)

Coss [typ] (pF)

Rth(j-mb) [max] (K/W)

GAN039-650NBB

SOT8000

CCPAK

Development

N

1

650

39

33

175

59

42

237

5

26

300

167

4

N

1500

147

0.5

GAN039-650NBBA

SOT8000

CCPAK

Development

N

1

650

39

33

175

60

42

240

5

30

300

112

4

Y

1500

147

0.5

GAN039-650NTB

SOT8005

CCPAK

Development

N

1

650

39

33

175

60

42

240

15

30

300

150

4

N

1500

147

0.5

GAN039-650NTBA

SOT8005

CCPAK

Development

N

1

650

39

33

175

60

42

240

15

30

300

150

4

Y

1500

147

0.5

GAN041-650WSB

SOT429

TO-247

Production

N

1

650

41

35

175

47.2

33.4

240

5

22

187

150

3.9

N

1500

147

0.8

GAN063-650WSA

SOT429

TO-247

Production

N

1

650

60

50

175

34.5

24.4

150

4

15

143

125

3.9

N

1000

130

1.05


安世氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)封裝


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