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力特電源半導(dǎo)體

電源半導(dǎo)體

美國Littelfuse力特電源半導(dǎo)體,IXYS: “一項Littelfuse技術(shù)”代表一組 全面的高級電源半導(dǎo)體技術(shù),包括硅和寬帶隙解決方案 ,采用離散和模塊封裝。產(chǎn)品分類有IXYS電源半導(dǎo)體和集成電路;碳化硅;點火IGBT;分立晶閘管(SCR和TRIAC);晶閘管模塊;離散式MOSFET;離散式IGBT;IGBT模塊;IGBT和MOSFET驅(qū)動器集成電路;離散式二極管;二極管模塊;大功率;堆棧、子系統(tǒng)和組件;集成電路;裸片。

產(chǎn)品詳情


力特IXYS電源半導(dǎo)體和集成電路

Littelfuse電源半導(dǎo)體產(chǎn)品及收購的IXYS電源半導(dǎo)體產(chǎn)品和套裝現(xiàn)已歸入IXYS旗下: 一項Littelfuse技術(shù)。現(xiàn)可通過Littelfuse網(wǎng)站查閱: IXYS 離散式MOSFET、IXYS 離散式IGBT、IXYS 系統(tǒng)堆棧組件 和IXYS 整流器二極管 - 螺柱型和平板型。部分其他IXYS零件另可見 離散式二極管, 二極管模塊, 離散式晶閘管 和 晶閘管模塊。


力特碳化硅(SiC)半導(dǎo)體二極管

對于需要提高效率、可靠性與熱管理的應(yīng)用而言,碳化硅(SiC)產(chǎn)品是理想選擇。 我們專注于開發(fā)最可靠的碳化硅半導(dǎo)體二極管。碳化硅肖特基二極管:相比標(biāo)準(zhǔn)的硅雙極二極管,SiC肖特基二極管具有可忽略不計的反向恢復(fù)電流,這可減少開關(guān)損耗并顯著提升系統(tǒng)效率。碳化硅MOSFET:碳化硅MOSFET制造商提供高級碳化硅MOSFET;極低柵極電荷和輸出電容;低柵極電阻,適用于高頻開關(guān);超低導(dǎo)通電阻;符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)、無鉛、不含鹵素。


力特點火IGBT

Littelfuse點火絕緣柵雙極晶體管(點火IGBT) 技術(shù)采用集成了ESD與過壓箝位保護(hù)裝置 的單片電路,可用于感應(yīng)線圈驅(qū)動器應(yīng)用。LGD8201ATI;LGD18N40ATH;LGB15N41ATI;LGB8245TI;LGB8207TH;LGB8202ATI;LGB18N40ATH;LGB8206AxI;LGD8209TI。


力特分立晶閘管(SCR和TRIAC)

使用固態(tài)開關(guān)控制電流;常用于家用電器、電動工具和戶外設(shè)備的電路保護(hù);提供各種通孔型和表面貼裝型安裝選擇??煽毓枵髌鳎蝗穗p向可控硅;SIDAC;四象限三端雙向可控硅;快速晶閘管;GTO晶閘管;中電壓;相控。


力特晶閘管模塊

具有較強的電流處理能力, 可滿足電源控制應(yīng)用的一般要求。AC開關(guān);單二極管和雙二極管;晶閘管二極管;水冷。


力特分立式封裝MOSFET

我們廣泛而專業(yè)的功率MOSFET產(chǎn)品組合包括 作為高電壓、高功率分立式MOSFET應(yīng)用行業(yè) 標(biāo)準(zhǔn)的線性模式和耗盡模式功率 MOSFET。汽車級;N通道耗盡模式;N通道HiPerFET;N通道線性;N通道標(biāo)準(zhǔn);N通道超級結(jié);N通道溝槽柵;N通道;超-超級結(jié);P通道;SMPD封裝;可切換電流調(diào)節(jié)器。


力特分立封裝IGBT

從上最大的IGBT設(shè)備選擇電力半導(dǎo)體市場。優(yōu)點包括低能耗  維護(hù)時的損耗和卓越的設(shè)備耐用性  低開啟狀態(tài)電壓。BiMOSFET?;NPT;PT;SMPD;Packages;XPT?;High Power。


力特IGBT模塊

Littelfuse IGBT模塊通過 將簡單的MOSFET柵極驅(qū)動與雙極晶體管高電流和低飽和電壓切換能力 相結(jié)合,確保高效率和快速切換。標(biāo)準(zhǔn)IGBT模塊:Littelfuse IGBT模塊通過將簡單的MOSFET柵極驅(qū)動與雙極晶體管高電流和低飽和電壓切換能力相結(jié)合,確保高效率和快速切換。


力特IGBT和MOSFET驅(qū)動器集成電路

3相半橋柵極驅(qū)動器集成電路:功能與特色: 用于3相電機(jī)控制和功率逆變器的單一封裝驅(qū)動器;使自舉操作達(dá)到600V的三個浮動的高壓側(cè)驅(qū)動器;350mA/200mA和600mA/290mA灌/吸輸出能力;10V至20V寬泛VCC工作電壓范圍;所有通道低電壓鎖定(UVLO);帶故障輸出的過流保護(hù)/關(guān)斷;擊穿保護(hù);內(nèi)部死區(qū)時間防止MOSFET或IGBT發(fā)生交叉?zhèn)鲗?dǎo);所有通道的匹配傳播延遲;兼容3.3V邏輯電平輸入;工作溫度范圍為-40oC到125oC;可提供SOIC-20/28行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝和引腳布局。

高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器集成電路:功能與特色:  浮動的高壓側(cè)驅(qū)動器可使自舉操作達(dá)到600V;600mA/290mA到4.5/4.5A灌/吸輸出電流能力;10V至20V寬泛VCC工作電壓范圍;低電壓鎖定 (UVLO);擊穿保護(hù);邏輯輸入兼容3.3V邏輯電平;輸出端對負(fù)向瞬態(tài)有一定的耐受性;工作溫度范圍為-40oC到125oC 可提供SOIC-8、-14、-16行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝和引腳布局。


力特離散式二極管

通過提供低Trr、高溫、 低泄漏和低正向電壓降的產(chǎn)品達(dá)到 商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用的一般要求??焖倩謴?fù)外延二極管(FRED):我們的快速二極管采用不同的技術(shù)組合, 以對我們廣泛的快速開關(guān)產(chǎn)品形成補充。整流器二極管:提供各種 封裝和額定值的廣泛整流二極管,通常用于整流50或60 Hz主電流。超快整流器:通過提供低Trr、高溫、低泄漏和低正向電壓降的產(chǎn)品達(dá)到商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用的一般要求。硅肖特基:提供高溫、低泄漏電流和低VF產(chǎn)品, 滿足一般商業(yè)應(yīng)用的需求。


力特二極管模塊

這些器件采用高溫合金模頭結(jié)構(gòu),具有低熱阻和高過載能力, 適用于條件最為惡劣的應(yīng)用。整流器;單二極管和雙二極管;水冷。


力特高功率半導(dǎo)體

IXYS: Littelfuse Technology產(chǎn)品現(xiàn)已登陸Littelfuse.com。通過選擇下面的類別, 導(dǎo)航至您要查找的產(chǎn)品, 或者在頁面頂部的搜索欄輸入特定的產(chǎn)品號。配件;二極管;二極管模塊;IGBT;堆棧;晶閘管;晶閘管模塊;晶閘管二極管;水冷。


力特電源半導(dǎo)體堆棧、子系統(tǒng)和組件

標(biāo)準(zhǔn)組件還包括新的壓裝式IGBT 3級逆變器。三種獨立設(shè)計可選: 完全獨立的3.3kV系統(tǒng)、6.6kV系統(tǒng)和 10 kV系統(tǒng)。


力特集成電路

我們設(shè)計、制造和營銷種類廣泛的半導(dǎo)體器件。 此外,我們還是領(lǐng)先的光電隔離電子元件提供商。 我們提供的產(chǎn)品包括: 固態(tài)繼電器/半導(dǎo)體繼電器 高速數(shù)字光電隔離器 光電耦合器 高壓設(shè)備 電力產(chǎn)品 感應(yīng)和控制產(chǎn)品 電信產(chǎn)品 非易失性可編程電容器 RFID設(shè)備 顯示器產(chǎn)品 代工廠服務(wù) 憑借獨一無二的高壓晶圓制造、隔離柵專業(yè)知識、多芯片封裝經(jīng)驗以及在模擬、混合信號和電源設(shè)計方面的專業(yè)知識,我們能以更低的成本為客戶提供外形更小巧、功能更強大的產(chǎn)品。


力特裸片

DCB基板和模具 為方便客戶,Littelfuse提供裸片版本的器件。 這些器件適用于需要獨特封裝的電源半導(dǎo)體解決方案以便對系統(tǒng)進(jìn)行全面優(yōu)化的應(yīng)用。


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