瑞薩RF混頻器

Renesas的RF混頻器系列產(chǎn)品采用Zero-Distortion?專利技術(shù)，極大地改善了接收機(jī)在所需信噪比(SNR)下能夠承受的最大信號(hào)電平（IM3音）。這些器件可進(jìn)行擴(kuò)展，因此能夠在各種模式下運(yùn)行器件，從而顯著降低功耗，同時(shí)仍然保持高線性度。與同類競爭混頻器相比，能夠?qū)⑷A互調(diào)(IM3)失真降低至多20dB(90%)；存在鄰道干擾時(shí)提高未充分利用的頻譜的覆蓋率；通過最大程度降低對(duì)RF增益控制的需求，簡化RF前端和軟件設(shè)計(jì)。

瑞薩RF衰減器

Renesas可提供各種使用數(shù)字或模擬控制的單片硅RF衰減器。RF衰減器所適用的應(yīng)用包括無線基礎(chǔ)設(shè)施（基站、寬帶基礎(chǔ)設(shè)施(CATV)）、微波無線電、衛(wèi)星和數(shù)據(jù)終端、通用通訊設(shè)備以及測試和測量設(shè)備。Renesas率先推出采用“Glitch-Free?”技術(shù)的數(shù)字步進(jìn)衰減器(DSA)，使得客戶能夠簡化其軟件界面、提高可靠性、防止損壞功率放大器等昂貴的子組件，并限制數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器輸入超出額定范圍。

瑞薩可變?cè)鲆娣糯笃?/strong>(VGA)

Renesas提供數(shù)控的中頻(IF)和射頻(RF)可變?cè)鲆娣糯笃?VGA)，這些放大器采用了FlatNoise?技術(shù)，當(dāng)增益降低時(shí)其噪聲不會(huì)惡化。Renesas的低噪聲器件提高了服務(wù)質(zhì)量(QoS)，降低了系統(tǒng)對(duì)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的信噪比(SNR)要求，從而降低了系統(tǒng)成本。一部分Renesas的數(shù)字電壓增益放大器采用Glitch-Free專利技術(shù)，其目的是將其最高有效位(MSB)轉(zhuǎn)變過程中產(chǎn)生的瞬時(shí)“毛刺”最大程度減少95%，來消除發(fā)送和/或接收鏈路中因衰減設(shè)置而引起的過沖（毛刺）。對(duì)于蜂窩基站和其他無線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備中的接收機(jī)和發(fā)射機(jī)而言，Renesas的IFVGA和RFVGA是理想選擇。

瑞薩射頻合成器

瑞薩電子提供具有超低相位噪聲和低雜散的射頻合成器，這可解決射頻板設(shè)計(jì)中高性能混頻器、調(diào)制器和解調(diào)器的頻率生成難題。射頻合成器還可用于直接為高速射頻轉(zhuǎn)換器(ADC/DAC)提供時(shí)鐘參考。輸出頻率范圍包含低MHz至18GHz。此類器件帶有集成式壓控振蕩器(VCO)，并具有較大的調(diào)諧范圍，可提供多頻段本機(jī)振蕩器(LO)頻率合成，從而能夠減少對(duì)多個(gè)窄帶射頻合成器的需要。這降低了物料費(fèi)用和設(shè)計(jì)復(fù)雜性，同時(shí)也降低了開發(fā)射頻產(chǎn)品的成本。

瑞薩射頻開關(guān)

Renesas提供SPDT、SP4T和SP5T射頻開關(guān)，這些交換機(jī)采用Kz恒定阻抗技術(shù)，具有極低的插入損耗和極高的輸入IP3性能。高隔離交換機(jī)具有寬頻率帶寬和更大的工作溫度范圍，能夠在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高可靠性。此外，Renesas的射頻開關(guān)利用先進(jìn)的RF硅半導(dǎo)體技術(shù)，與GaA等其他技術(shù)相比更具優(yōu)勢：具有較高的靜電放電(ESD)抗擾性和MSL1潮濕敏感度等級(jí)，更加穩(wěn)定；過溫環(huán)境下保持出色的RF性能，且電流損耗較低；與GaA相比，具有更高的可靠性；與更簡單的封裝組件進(jìn)行較高程度的集成，從而改善熱性能并降低總成本。

瑞薩射頻放大器

Renesas提供差分或單端輸入阻抗的射頻放大器，具備各種增益、噪聲因數(shù)和線性功能。這款產(chǎn)品采用創(chuàng)新Zero-Distortion?技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)低電流消耗的高輸出IP3，明顯優(yōu)于單增益模塊放大器。這款射頻放大器還內(nèi)置寬帶阻抗平衡器，支持差異性輸入和輸出的寬帶應(yīng)用。這款產(chǎn)品專為高可靠性的操作而設(shè)計(jì)，結(jié)合使用了硅鍺放大器模具和集成式無源器件(IPD)模具以及經(jīng)驗(yàn)證的高容量QFN封裝。

瑞薩晶體管陣列

瑞薩的晶體管陣列組合包括NPN、PNP和以我們互補(bǔ)的UHF-1SOI工藝為基礎(chǔ)的NPN-PNP組合晶體管陣列。這些組合也包括適用于VHF/UHF放大器、VHF/UHF混頻器、中頻（IF）轉(zhuǎn)換器和同步檢波器的超高頻晶體管陣列。雙長尾對(duì)晶體管陣列和吉爾伯特單元UHF晶體管陣列也可用于無線通信系統(tǒng)、無線電和衛(wèi)星通信系統(tǒng)以及高性能儀表。

瑞薩相控陣列波束成形器

瑞薩電子的相控陣有源波束成形IC能為5G、衛(wèi)星通信和雷達(dá)應(yīng)用提供經(jīng)濟(jì)高效的新一代系統(tǒng)解決方案。每個(gè)波束形成IC都包括多個(gè)獨(dú)立控制的有源通道，滿足電子掃描陣列天線(ESA)的元素級(jí)波形塑造要求。緊湊型IC提供平面BGA或QFN封裝，能實(shí)現(xiàn)極小化相位陣列天線，元素間隔λ/2。IC提供僅發(fā)射(Tx)、僅接收(Rx)或發(fā)射/接收(T/R)等不同版本，覆蓋所有常見的5GmmWave和衛(wèi)星通信頻帶。

瑞薩調(diào)制器和解調(diào)器

Renesas推出了采用Zero-Distortion?和Glitch-Free?技術(shù)的引腳兼容IQ解調(diào)器產(chǎn)品，具有全球最低功耗和最低IM3失真，同時(shí)可使最高有效位(MSB)增益過渡期間的過沖振鈴低于0.5dB。同樣地，Renesas還推出了采用Zero-Distortion?技術(shù)的IQ調(diào)制器產(chǎn)品，具有極高的IP3和IP2性能，與其他同類競爭設(shè)備相比，可實(shí)現(xiàn)卓越的鄰道泄漏比(ACLR)性能。