英飛凌GaN HEMT氮化鎵晶體管產(chǎn)品解決方案

英飛凌高性能 CoolGaN? 增強模式 HEMT 將采用頂部及底部冷卻型 SMD 封裝。可在相應應用中實現(xiàn)極高的效率和功率密度，以及極佳的熱性能。此類增強模式 GaN HEMT 晶體管針對消費和工業(yè)應用， 如服務器、 數(shù)據(jù)通信、電信通信、適配器/充電器、無線充電, 及音頻產(chǎn)品 ，具備市場上無出其右的耐用性能。

英飛凌GaN HEMT氮化鎵晶體管具體應用

英飛凌氮化鎵CoolGaN?系列為許多應用中的各種系統(tǒng)增添了重要價值。此類增強模式 HEMT 針對消費和工業(yè)應用，如 4G/5G、數(shù)據(jù)通信、電信通信、 WIFI， 具備市場上無出其右的耐用性能。在服務器電源和電信通信應用等高功率應用中使用英飛凌GaN HEMT器件，可以節(jié)省成本，并提高每個機架的功率。得益于其硬開關能力，還可實現(xiàn)更簡易的控制方案，同時與最佳的硅替代產(chǎn)品相比，更具效率優(yōu)勢。隨著對更快的數(shù)據(jù)通信需求的增加，用于 5G 應用的 GaN HEMT 將實現(xiàn)更高的效率和極快的開關速度。

英飛凌GaN HEMT氮化鎵晶體管產(chǎn)品特性

1.英飛凌的CoolGaN集成功率級(IPS)利用了市場上最可靠的GaN和驅(qū)動器技術，將極致的效率和可靠性與易用性結合在一起。CoolGaN IPS將cool GaN常關增強型GaN開關與專用的集成式EiceDRIVER柵極驅(qū)動器結合到散熱增強型QFN封裝中。這種集成允許設計人員在減小無源元件尺寸的同時節(jié)省更多PCB空間，從而在更短的時間內(nèi)實現(xiàn)更小的外形設計。

2.CoolGaN出色的可靠性、高性能和穩(wěn)定性為服務器、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、電信、無線充電、適配器和充電器、SMPS和音頻等眾多應用領域的各種系統(tǒng)增加了重要價值。為了使CoolGaN開關更易于使用和設計，我們提供了專用的GaN EiceDRIVERICs。借助英飛凌的系統(tǒng)解決方案，包括晶體管和驅(qū)動器，您可以充分利用GaN的優(yōu)勢。