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IGBT管

IGBT管

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。

產(chǎn)品詳情


IGBT管應(yīng)用特性是什么

靜態(tài)特性。三菱制大功率IGBT模塊IGBT的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí),漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它與GTR的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1、放大區(qū)2 和擊穿特性3部分。
動(dòng)態(tài)特性。動(dòng)態(tài)特性又稱開(kāi)關(guān)特性,IGBT的開(kāi)關(guān)特性分為兩大部分:一是開(kāi)關(guān)速度,主要指標(biāo)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中各部分時(shí)間;另一個(gè)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗。IGBT 的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT處于導(dǎo)通態(tài)時(shí),由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管,所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu),但流過(guò)MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。

IGBT管產(chǎn)品品牌及型號(hào)(展示部分品牌,詳情請(qǐng)來(lái)電咨詢)


INFINEON/英飛凌:ILP03N60,SGD02N60,SKP04N60,SGB15N60,IHW40T60。


ON/安森美:MGP7N60E,NGP8203N,STB1081L3,F(xiàn)GD3050G2,MGP20N14CL。 


IR:AUIRGR4045D,IRGP4069PBF,IRGP4760PBF,AUIRGP4062D,IRGP4790PBF。


ROHM/羅姆:BM63377S-VA,BM63573S-VC,BM63373S-VC,BM63574S-VA。


IXYS/艾賽斯:IXBH6N170,IXBT2N250,IXBT24N170,IXBF20N300,IXBX25N250。


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