絕緣硅片SOI應(yīng)用介紹

　　SOI是指將一薄層硅置于一絕緣襯底上。晶體管將在稱(chēng)之為'SOI'的薄層硅上制備?；赟OI結(jié)構(gòu)上的器件將在本質(zhì)上可以減小結(jié)電容和漏電流，提高開(kāi)關(guān)速度，降低功耗，實(shí)現(xiàn)高速、低功耗運(yùn)行。作為下一代硅基集成電路技術(shù)，SOI廣泛應(yīng)用于微電子的大多數(shù)領(lǐng)域，同時(shí)還在光電子、MEMS等其它領(lǐng)域得到應(yīng)用。為滿(mǎn)足更多客戶(hù)要求，蘇州建道電子有限公司也提供超薄頂層和超薄絕緣層;

　　絕緣硅片SOIwafer尺寸

　　4”,5”,6”，8"。

　　絕緣硅片底層厚度

　　>200um;頂層厚度：>2um。

　　絕緣硅片導(dǎo)電類(lèi)型

　　N-Type、P-Type、非摻高阻。

　　絕緣硅片頂層厚度：70nm、145nm、220nm、340nm等。

　　絕緣硅片絕緣層厚度：145nm、500nm等。

　　絕緣硅片SOI工業(yè)性能特點(diǎn)

　　頂層硅的厚度可根據(jù)應(yīng)用的不同而變化。借助精密儀器，鍵合技術(shù)以及外延設(shè)備，頂層硅最薄可達(dá)20納米，最厚可至幾十微米或更多。一個(gè)更厚的頂層硅對(duì)光通訊及MEMS器件尤其重要。

　　1.提高運(yùn)行速度

　　在特定的電壓下，建在SOI材料上電路的運(yùn)行速度比建在普通硅材料上電路的速度提高百分之30%，這極大地提高了微處理器和其它裝置的性能。

　　2.降低能量損耗

　　SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗，特別適用于對(duì)能量消耗比較高的領(lǐng)域。

　　3.改進(jìn)運(yùn)行性能

　　SOI材料能承受高達(dá)350攝氏度甚至500攝氏度的高溫，對(duì)那些在惡劣環(huán)境下必須運(yùn)轉(zhuǎn)良好的設(shè)備特別適用。

　　4.減小封裝尺寸

　　SOI材料能滿(mǎn)足IC制造商對(duì)產(chǎn)品越來(lái)越小的要求。