藍寶石單晶片工業(yè)應用

　　藍寶石單晶是一種優(yōu)良的多功能材料?？梢詮V泛應用于工業(yè)，國防和科研等多個領域(如耐高溫紅外窗口)。同時它也是一種用途廣泛的單晶基片材料。是當前藍、紫、白光發(fā)光二極管(LED)和藍光激光器(LD)工業(yè)的先選基片(需要在藍寶石基片上外延氮化鎵膜層)，也是重要的超導薄膜基片。除了可以制作Y-系，La-系等高溫超導薄膜外，還可以用于生長新型實用MgB2(二硼化鎂)超導薄膜。

　　藍寶石單晶片厚度

　　100um、280um、300um、350um、430um、500um、650um、1mm。

　　藍寶石單晶片尺寸

　　2英寸、4英寸、6英寸和切割小塊。

　　藍寶石單晶片晶向

　　C向、M向、R向;單拋、雙拋。

　　R向藍寶石晶片

　　R向基底生長的不同沉積的硅料外延長晶，被應用于微電子集成電路。此外，在對外延硅生長制膜的過程中，還可以形成高速的集成電路和壓力傳感器。在制作砣、其它超導組件、高阻電阻器、砷化鎵時亦可應用R型基底生長。比A稍難切。

　　C向藍寶石晶片

　　C向的藍寶石基底被用于生長III-V與II-VI族沉積薄膜，比如氮化鎵，可以產出藍色的LED產品、激光二極管以及紅外線探測儀的應用。這主要是因為藍寶石晶體沿C軸生長的工藝成熟、成本相對較低、物化性能穩(wěn)定，在C面進行磊晶的技術成熟穩(wěn)定。C軸均有晶光性，其他軸具有負光性;C面為平面，最好切。

　　M向藍寶石晶片

　　M面為階梯鋸齒狀，不好切，容易切裂。主要用來生長非極性/半極性面GaN外延薄膜，以提高發(fā)光效率。

　　A向藍寶石晶片

　　A向硬度明顯高于C向，具體表現(xiàn)在耐磨，耐刮，硬度高;A面為Z型鋸齒狀面，比較好切;A向基底產生統(tǒng)一的電容率/介質，并且高度絕緣被應用于混合微電子技術中。高溫的超導體可由A型基底長晶產生。

　　藍寶石單晶片加工

　　圖案化藍寶石基板(PatternSapphireSubstrate簡稱PSS)：以成長(Growth)或蝕刻(Etching)的方式，在藍寶石基板上設計制作出納米級特定規(guī)則的微結構圖案藉以控制LED之輸出光形式，并可同時減少生長在藍寶石基板上GaN之間的差排缺陷，改善磊晶質量，并提升LED內部量子效率、增加光萃取效率。此外，可按客戶要求加工定制藍寶石棱鏡、表鏡、透鏡、孔件、錐臺等各種結構件。